EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特尔原有EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术基础上的一次关键升级。传统EMIB利用嵌入在封装基板中的硅桥，实现多颗裸晶之间的高速互连。
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研究分析了车龄从崭新到长达12年、涵盖乘用车和轻型商用车、最高行驶里程近25.75万公里的样本，并测量了其电池健康状态（SoH）。SoH是一个百分比指标，用于比较电池当前状态与其全新时的状态。